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　　答：今年一季度，公司下游各行业需求呈现结构性分化，整体与行业趋势基本一致，具体如下：（1）汽车及汽车电子领域：一季度国内汽车行业呈现内需偏弱、出口高增态势，行业逐步走出低谷。全年行业预计前低后高，智能化、汽车电子、出海产业链仍是景气度最高的细分方向。（2）风光储新能源：风光储整体维持高景气，板块间存在明显分化，储能景气度最强，一季度国内储能装机实现爆发式增长，受益于容量电价落地、新能源配储刚需及海外需求共振，行业进入量利齐升阶段；风电装机同比高增长，国内海陆需求共振、海外市场加速放量，盈利持续修复；光伏环节价格逐步企稳，行业进入去库与盈利修复周期。（3）消费电子领域，行业整体仍处于弱复苏阶段，传统消费电子需求偏弱，但结构上呈现明显亮点：AI手机、AIPC实现结构性高增长，渗透率持续提升，产品向高端化升级，带动产业链价值量提升。公司方面，硅麦克风、手机锂电池保护芯片等代工产品持续迭代，其中手机硅麦克风在国际头部客户中市占率已超50%。同时，公司积极推进MOSFET、惯性导航单元（IMU）芯片等产品产能提升，加强家电终端客户渗透，提供从器件到系统代工的完整解决方案。从公司的收入来看，下游应用领域情况基本与行业整体情况保持一

　　答：公司围绕算电协同已形成深度战略布局，不仅聚焦SST（固态变压器）技术前沿，更同步布局一、二、三级服务器电源全产品矩阵，构建全方位的市场覆盖能力。公司致力于为客户提供“功率器件+隔离驱动+MCU+磁器件”的完整系统代工方案。工艺平台层面，公司高压BCD工艺持续迭代升级，8英寸SiC产线规模化量产稳步推进，新一代SiC G2.0工艺平台在能效与可靠性上实现进一步突破。相关产品匹配AI服务器电源提功增效的需求，同时也适配以微电网为代表的风光储充变一体化的供电场景，在算电融合趋势下形成突出的卡位优势。在超高压功率器件布局上，公司已具备3300V/4500V超高压IGBT量产能力，并持续推进更高电压等级产品研发迭代；依托自研8英寸SiC工艺平台，完成650V-3300V全电压段SiC MOSFET产品全覆盖。AI服务器电源领域，公司已构建全层级供电解决方案，产品覆盖柔直传输、SST、绿电直连DC/DC、PSU、IBC及POL等各级应用，提供数字/模拟/功率器件一体化芯片方案。当前核心进展包括公司已量产中低压硅基SGT MOSFET功率产品；MEMS mirror光学传感器工艺平台产品送样验证中，填补国内空白；第二代高效率数据中心专用电源管理芯片制造平台，已获得关键客户产品导入。未来公司服务器电源相关业务收入将实现快速增长，成为核心收入增长引擎之一。

　　答：碳化硅嵌入式方案，是将SiC功率芯片通过基板内嵌、无键合互联、三维集成等方式实现高集成度的先进模块技术，相比传统封装具备更低寄生电感、更高功率密度和更好散热性能，能显著提升系统效率与功率密度。主要面向车载高压电驱、AI服务器电源等高端场景。嵌入式SiC目前主要难点在于：材料热膨胀差异大易产生应力失效，高压下绝缘与局部放电控制难度高，封装工艺复杂、良率与成本控制压力大等；嵌入式SiC产业化需要终端客户、PCB厂商、封装和芯片厂商的深度联合开发。从节奏来看，预计嵌入式碳化硅模块将在2027年前后迎来量产应用的新阶段。公司从市场需求出发，持续开发嵌入式核心芯片工艺和嵌入式方案，保证技术领先性。开发更加适配嵌入式的新型芯片设计和工艺，以及嵌入式的新材料研发。目前公司嵌入式SiC方案正在送样验证中。对产品业务而言，SiC嵌入式方案对于集成化提出挑战，公司深度配合市场需求，夯实芯片基础，开发更适配嵌入式方案的芯片、子单元和模块，加速嵌入式主驱上车市场化和量产化。